Измеряемые параметры: |
импеданс (|Z|/ R), фазовый угол (?DEG/ ?RAD), индуктивность (Ls / Lp), ёмкость (Cs / Cp), активное сопротивление (Rs / Rp), ЭПС (ESR), добротность (Q), коэф. диэлектрических потерь (D), полная проводимость (Y), активная проводимость (G), реактивная проводимость (B), реактивное сопротивление (X), измерения сопротивления на постоянном токе (Rdc) |
Погрешност: |
0,08% |
Электрическое сопротивление (от): |
10 мОм |
Электрическое сопротивление (до): |
100 МОм |
Разрешение (R): |
0,01 мОм |
Электрическая емкость (от): |
50 фФ |
Электрическая емкость (до): |
1Ф |
Разрешение (C): |
0,01 пФ |
Индуктивность (от): |
10 нГн |
Индуктивность (до): |
100 кГн |
Разрешение (L): |
0,1 нГн |
Частота тест сигнала: |
10 Гц - 5 МГц |
Диапазон частот: |
Не фиксированный |
Особенности: |
Непрерывное по диапазону частот и комплексное тестирование выводных компонентов, а также материалов и деталей поверхностного монтажа (SMD). Три типа калибровки (КЗ/ХХ/ Нагрузка), компенсация. Функция динамического анализа - графики (2 кривые одновременно), таблица (8 парам. х 15 шагов). Функция развертки при измерени параметра (до 267 точек). Автомасштабирование шкалы, цифровая растяжка. Парал./ последов. схема измерений. Допусковый тест (Pass/Fail), источник внутреннего постоянного смещения ± 12 В. Переключение выходного импеданса - 25 Ом/ 100 Ом. Внутренняя память (запись/ вызов) |
Интерфейс: |
GPIB, LAN, RS-232, USB (2) |
Уровень тест сигнала: |
напряжение (АС) 10 мВ…2 В (?1 МГц) 10 мВ…1 В (>3 МГц или при F? 1 МГц и Rвых=25 Ом). Ток (АС) 100 мкА…20 мА (Rвых=100 Ом)/ 400 мкА…40 мА (Rвых=25 Ом). Разрешение установки 1 мВ/ 10 мкА |
Страна: |
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |